四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳,為非腐蝕性氣體,所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅,鋁等金屬材料都可以使用。四氟化碳有時(shí)會(huì)用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造,以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
按其催化作用增長(zhǎng)的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中,緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。
吸入四氟化碳的后果與濃度有關(guān),包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長(zhǎng)時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng),因此分離的可能性比較低。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。
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